主要特點: |
1. 適用于Si,SiO2,金屬,III-V,物等材料的刻蝕 |
2. 可用于8”wafer,也可用于更小的晶片 |
3. 氣體管路2路,根據需要多可升級到8路 |
4. 設備體積小,操作簡單 |

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主要特點: |
1. 適用于Si,SiO2,金屬,III-V,物等材料的刻蝕 |
2. 可用于8”wafer,也可用于更小的晶片 |
3. 氣體管路2路,根據需要多可升級到8路 |
4. 設備體積小,操作簡單 |