富士通開始樣品供貨的GaN功率器件擊穿電壓150V

有助于更小，更的電源產品，用于電信，工業設備，汽車，及其他應用

日本橫濱，2013年7月11日- 富士通半導體有限公司今天宣布推出51T008A，，基于硅襯底，氮化鎵（GaN）的電源裝置，具有擊穿電壓為150 V新產品的樣品會2013年7月開始提供。新的移動設備，從而使常斷操作，能夠實現大約一半的基于硅的用一個等效的擊穿電壓的功率器件的品質因數（FOM）。隨著新產品的陣容增加了，富士通半導體將能夠提供更小，更的電源供應器，適用范圍廣的領域，家電和信息通信技術設備，汽車應用的GaN器件。

51T008A有具有許多優點，包括：1）的通態電阻為13毫歐，總的柵電荷為16 nC的，用一個等效的擊穿電壓，使大約一半的硅為基礎的功率器件的FOM; 2）小的寄生電感和高頻率的操作通過使用WLCSP封裝，以及3）一個專有的柵的設計，使正常的開關操作。新器件適合用于高側開關和低側開關電源采用的DC-DC轉換器，數據通信設備，工業產品，以及汽車。此外，因為它支持更高的開關頻率在電源電路中，電源供應器可實現整體的尺寸和效率的。富士通半導體計劃在2013年7月開始樣品供貨，計劃在2014年開始批量生產。

除了51T008A，設有一個擊穿電壓為150 V，富士通半導體還開發模型與擊穿電壓為600 V和30 V，從而幫助實現增強的電源效率在廣泛的產品領域。這些GaN功率器件的HEMT（高電子遷移率晶體管）技術，該技術自20世紀80年代以來，富士通研究所牽頭制定的基礎上。豐富的IP產品組合的技術的基礎上，富士通半導體將將其GaN功率器件市場。該公司還計劃與客戶建立合作伙伴關系跨越了廣泛的行業，以進一步拓展其業務。

富士通半導體將的51T008A和其他氮化鎵產品在“TECH-FRONTIER 2013”??上展出，將于7月17-19日在東京Big Sight東京，日本。該公司還計劃突出其GaN功率器件的性能改進，和一個600 V的擊穿電壓，以及原型和測試數據的2.5千瓦電源采用的GaN功率器件，高頻PFC高頻DC -DC轉換器。