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| 項目參數(shù)（Parameter） | 號（Symbol） | 數(shù)值 | 單位（Unit） | |||
| 功耗（Max Power Dissipation） | PM | 140 | mW | |||
| 正向電流（Max Continuous Forward Current） | IFM | 150 | mA | 晶片(CHIP) | ||
| 反向電壓（Max Reverse Voltage） | VRM | 5 | V | 材質(zhì) | InGaN | |
| 脈沖峰值電流（Peak Forward Current） | IFP | 150 | mA | 顔色 | 白色 | |
| 焊接溫度/時間（Lead Soldering Temperature/Time） | TSOL | 240/≤3S | ℃/S | 膠體（Colloid） | ||
| 工作環(huán)境（Operating Temperature Range） | TOPR | -25~+85 | ℃ | 材質(zhì) | 環(huán)氧樹脂 | |
| 儲存溫度（Storage Temperature Range） | TSTR | -30~+100 | ℃ | 顔色 | 透明 | |
| 項目參數(shù)（Parameter） | 號 | 小值 | 一般值 | 值Max. | 單位 | 測試條件 |
| Symbol | Min. | T. | Unit | Condition | ||
| 發(fā)光強度（Luminous Intensity） | Iv | 40 | / | 45 | LM | IF=150mA |
| 發(fā)光角度（Viewing Angle） | 2 1/2 | / | 10 | / | deg | IF=150mA |
| 峰值波長（Peak We Length） | λp | / | / | / | nm | IF=150mA |
| 主波長（Dominant We Length） | λd | 6500 | / | 7500 | K | IF=150mA |
| 頻寬（Spectral Width at half height） | △λ | / | / | / | nm | IF=150mA |
| 正向電壓（Forward Voltage） | VF | 3.0 | / | 3.4 | V | IF=150mA |
| 反向電流（Reverse Current） | IR | / | / | ≤50 | μA | VR=5V |