BFQ591

BFQ591硅頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態范圍和理想的電流特性。主要應用于頻低噪聲功率管主要應用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產于philips公司，現在國內也有公司生產。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研制開發了系列高頻微波三管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品相同。

BFQ591參數

類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管 　　集電-發射電壓VCEO：15V

集電-基電壓VCBO:20V           發射-基電壓VEBO:3.0V

集電直流電流IC:200mA            總耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W

工作結溫Tj:150℃         貯存溫度Tstg:-65~150℃

封裝形式：SOT-89           功率特性：率        性：NPN型

結構：擴散型    材料：硅(Si)        封裝材料：塑料封裝 

電性能參數（TA=25℃）：

擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V

直流放大系數hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA

集電-基截止電流ICBO:100nA(值)

發射-基截止電流IEBO:100nA(值)

特征頻率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA

集電允許電流IC：0.2（A）

集電允許耗散功率PT：2.25（W）

功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz

功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz

反饋電容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。