刻蝕鍍膜儀 PEC II

型號 685

刻蝕鍍膜儀 (PEC?)II 是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設備。

對于同一個樣品，可在同一真空環境完成拋光及鍍膜.PEC II 是一款完、結構緊湊的臺式設 備。采用兩個寬束氬離子源對樣品表面進行拋光， 去除損傷層，從而得到高質量樣品，用于在 EM， 光鏡或者掃描探針顯微鏡進行成像、ED、EBD、CL、EBIC 或其它析。PEC II 采用 WhisperLok?技術，可選 配溫控液氮冷卻臺。該功能有助于避免拋光過程 中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化。.

PEC II內置了一個 10 英寸的觸摸屏。無論新手還是級用戶，

都可提高樣品的加工可控性 及可重復性。數碼變焦顯微鏡配合

DigitalMicrograph? 軟件，可實現對樣品加工過程的實時 監控及

儲存彩色照片，這便于在EM中進行樣品檢查和析。

主要應用

? 半導體

? 金屬（氧化物，合金）

? 陶瓷

? 自然資源

技術規格

PEC II 系統

離子源

離子 兩個配有稀土磁鐵的潘寧離子

拋光角度 0 到18°

每支離子可調節

離子束能量 (kV) 0.1 – 8.0

離子束流密度峰值(mA/cm2) 10

拋光速率 (μm/h) 300（對于硅試樣）

離子束直徑 可用氣體流量計或放電電壓來調節

樣品臺

樣品大小(長 * 寬 * 高, mm) 32 x*15

轉速 (rpm) 1 – 6

離子束調制 角度范可調的單向調制或雙向調制

樣品觀察 數碼變焦顯微鏡，配有 PC 及

DigitalMicrograph 軟件（選配件）

真空系統

干泵系統 兩級隔膜泵支持 80 L/s的渦輪子泵

壓力 (torr)

基本壓力 5 x 10-6

工作壓力 8 x 10-5

真空規 冷陰極型，用于主樣品室；固體型，

用 于 前級機械泵

樣品氣鎖 WhisperLok技術，樣品交換時

間小于1 鐘

用戶界面

10 英寸彩色觸摸屏 操作簡單，且能夠完控制所有參數

和配方式操作

尺寸及使用要求

外形尺寸 (長 x*寬 * 高, mm) 575 *495 * 615

運輸重量(kg) 45

功耗 (W)

運行時 待 200

機時 100

電源要求 通用 100 – 240 VAC，50/60 Hz（用

戶電壓和頻率）

氬氣(psi) 25

注：以技術規格如有變化將不另行通知

訂購型號

型號 描述

685 Cold (685.C) 帶有冷臺的 PEC II

685 Pro (685.O) 帶有冷臺和數字成像顯微系統的

PEC II

685 Advantage (685.A) 帶有冷臺、數字成像顯微系統和馬達

驅動離子系統的 PEC II

685 Met Etch (685.M) PEC II 基本版,不帶濺射沉積

685 ProTransfer (685.OV) 帶有真空轉移裝置的 PEC II Pro 系

統

685 AdvantageTransfer (685.) 帶有真空轉移裝置的 PEC II

Advantage 系統

刻蝕鍍膜儀 型號: PECS II 685.M刻蝕鍍膜儀 型號: PECS II 685.M刻蝕鍍膜儀 型號: PECS II 685.M