CL1118 12W 原邊控制高恒壓/恒流 PWM 控制器
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概述
CL1118是一款性能優(yōu)異的原邊反饋控制器，內(nèi)部集成了650V的高壓功率管，它集成了多種保護(hù)功能。CL1118 限度地減少了系統(tǒng)元件數(shù)目并采用DIP8封裝，這些使得CL1118較好地應(yīng)用于低成本的設(shè)計中。CL1118具有低電 流啟動功能、電流采樣LEB和內(nèi)部斜率補償。同時，CL1118具有過壓保護(hù)功能，以防止電路在異常情況下被損壞。
特性
◆ 恒壓，±3%恒流
◆原邊反饋省去TL431和光耦以降低成本
◆低啟動電流：5μA（典型值）
◆低工作電流：2mA（典型值）
◆可調(diào)輸出恒定電壓、恒定電流及功率
◆峰值電流模控制
◆補償變壓器電感容差
◆補償電纜壓降
◆內(nèi)置頻率抖動技術(shù)改善EMI
◆內(nèi)置軟啟動功能
◆內(nèi)置前沿消隱電路（LEB）
◆逐周期電流限制
◆欠壓保護(hù)（UVLO） VDD OVP
◆ 保護(hù)功能 VDD
◆ 電壓鉗位功能
◆內(nèi)置650V高壓MOSFET功率管
應(yīng)用范圍
◆手機(jī)/無繩電話充電器 ◆數(shù)碼相機(jī)充電器 ◆小功率電源適配器 ◆電腦/電視輔助電源 ◆替代線性電源
CL1118采用DIP8封裝
典型應(yīng)用
典型 CC/CV 曲線
打標(biāo)說明及管腳分布
管腳描述
結(jié)構(gòu)框圖
額定值 (注)
封裝耗散等級
注：超出“額定值”可能損毀器件。推薦工作范圍內(nèi)器件可以工作，但不保證其特性。長時間運行在額定條件 下可能會影響器件的可靠性。
使用說明
CL1118是一款高集成度的原邊反饋PWM控制芯片，其可有效提高低功率反激變換器的性能。原邊反饋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可 簡化外圍電路設(shè)計，特別在電池充電器應(yīng)用中。由于CL1118采用原邊采樣和校準(zhǔn)，因此不需要TL431和光耦合器。在 無次級反饋電路下，準(zhǔn)確地實現(xiàn)恒壓和恒流控制。CL1118具有頻率抖動功能，其可提高系統(tǒng)的EMI性能。結(jié)果，相比 于常規(guī)充電器設(shè)計或線性變壓器，采用CL1118的充電器具有更輕的質(zhì)量、更小的體積和更低的成本。
●欠壓保護(hù) CL1118采用一個欠壓保護(hù)比較器實現(xiàn)檢測VDD腳位的電壓。以保證供應(yīng)電源足夠運行CL1118 PWM控制器和驅(qū)動 功率MOSFET。欠壓保護(hù)為了在啟動時電源電壓出現(xiàn)驟降的情況下保護(hù)芯片，開啟和關(guān)閉閾值分別為9V和14.8V。
●軟啟動 CL1118采用了內(nèi)部軟啟動以盡量減少在電源啟動時的部分電氣過應(yīng)力。軟啟動的時長設(shè)定為10ms。當(dāng)VDD電壓 達(dá)到VUVLO（OFF）時，控制算法將使峰值電壓閾值逐漸從幾乎為零的值上升到正常設(shè)置的0.91V。而且每次重新啟動都有 一個軟啟動過程。
●恒壓/恒流工作 CL1118設(shè)計可以對恒流/恒壓進(jìn)行更好的控制，控制特性如圖1所示，電池充電器應(yīng)用中通常具有兩種運作模式， 恒壓充電和恒流充電。當(dāng)電池電壓過低時，充電器是恒流充電，這是對電池充電的主要的方式，大部分的能量進(jìn)入 電池。當(dāng)電池電壓達(dá)到電池飽和電壓時，充電電流逐漸變小，充電器進(jìn)入恒壓模式。后，充電電流繼續(xù)減小直到達(dá) 到0。工作在恒流模式下： ×× th_OC P OUT CS S V N1I= 4 R N
其中：IOUT為系統(tǒng)輸出端的輸出電流。 RCS為CS與GND之間的電阻。 NP和NS為變壓器主端和次端線圈的匝數(shù)。
●輸出電壓設(shè)置 通過電阻對Ra和Rb的分壓，CL1118的FB腳位可檢測輔助繞組反激信號。FB電壓與參考電壓間的差值通過誤差放 大器放大來控制開關(guān)信號的占空比。 輸出電壓可由下式得出。為了提高輸出電壓的度，變壓器的漏感應(yīng)盡可能的降低。
其中：Ra和Rb為頂端和低端反饋電阻值。 NS和NA為變壓器次端和輔助端線圈的匝數(shù)。
●電感校正電路 在初級勵磁電感過高或過低時，CL1118將通過調(diào)節(jié)振蕩器頻率自動對此進(jìn)行補償。由于這個控制器用于在非連續(xù) 導(dǎo)通模式下工作，因此輸出功率與設(shè)定初級電感直接成正比，并可通過調(diào)節(jié)開關(guān)頻率對其容差進(jìn)行完全補償。
●頻率抖動改善EMI CL1118具有頻率抖動功能（調(diào)節(jié)開關(guān)頻率），采用CL1118芯片的設(shè)計可實現(xiàn)系統(tǒng)的EMI性能與成本間的優(yōu)化。
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●電流檢測和前沿消隱 CL1118提供了逐周期電流限制，CS引腳的采樣電阻對開關(guān)電流進(jìn)行偵測。在功率開關(guān)導(dǎo)通時，采樣電阻上會出現(xiàn) 開啟尖峰。為避免由開啟尖峰所引起的誤操作，采用在功率開關(guān)導(dǎo)通后屏蔽CS引腳采樣信號540ns來實現(xiàn)。在屏蔽期 間電流采樣比較器輸出被置位，芯片驅(qū)動端不會關(guān)閉。 ●輸出線壓降補償 常規(guī)芯片在恒壓模式下，通過改變MOSFET管導(dǎo)通時間來調(diào)節(jié)在片反饋電壓，其不包括在電線上的壓降。這樣導(dǎo) 致了由于采用不同規(guī)格不同長度的電線，會產(chǎn)生不同的輸出電壓。CL1118具有線損補償功能，可補償輸出電壓在電線 上的壓降。通過內(nèi)置電流流入電阻分壓器在FB腳位產(chǎn)生補償電壓。隨著轉(zhuǎn)換器負(fù)載從空載增大至峰值功率點（恒壓與 恒流之間的切換點），將通過增大反饋引腳參考電壓對輸出電纜上的壓降進(jìn)行補償。控制器根據(jù)狀態(tài)調(diào)節(jié)器的輸出來 決定輸出負(fù)載以及相應(yīng)補償?shù)某潭取?
●控制保護(hù) CL1118內(nèi)置多種保護(hù)功能，包括逐周期電流限制(OCP)，上電軟啟動，輸出開路/短路保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)。系統(tǒng) 進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)后，VDD電壓開始下降：當(dāng)VDD到達(dá)欠壓保護(hù)閾值時，系統(tǒng)將重啟。同時不斷的檢測系統(tǒng)狀態(tài)，如果故 障解除，系統(tǒng)會重新開始正常工作。
封裝說明：DIP8
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