聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）
型號：Crossbeam340/550
Crossbeam340/5 SEM的探測能力
低電壓電子束分辨率30%。
無論是二維表面成像或三維重構，蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優(yōu)異的表現(xiàn)。借助于Tandem decel在樣品上施加電壓，Gemini光學系統(tǒng)可以在1kV下獲得1.4nm的分辨率，從而對任意樣品均可獲得優(yōu)質的圖像。可通過一系列的探測器表征您的樣品。通過的Inlens EsB探測器，可獲取純的材料成分襯度信息。表征不導電樣品可以不受荷電效應的影響。
您的FIB樣品的測試加工效率
通過FIB智能的刻蝕策略，其材料移除速率可40%。
在鎵離子類型的FIB-SEM中采用了大離子束束流。使用100nA的離子束束流可顯著節(jié)約時間，同時具有優(yōu)質的FIB束斑形狀，從而獲得高分辨率。得益于智能的FIB掃描策略，移除材料時且精準。可自動批量制取樣品，例如截面，TEM樣品薄片或任何使用者自定義的圖形。
在FIB-SEM分析中體驗優(yōu)異的三維空間分辨率
體驗整合的三維能譜分析所帶來的優(yōu)勢
可使用蔡司Atlas
5軟件擴展您的Crossbeam，它是一個針對快速而準確的三維斷層成像的軟硬件包。使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像的過程中進行能譜分析蔡司Crossbeam將Gemini電子束鏡筒和定制的聚焦離子束鏡筒結合起來，從而獲得高與速度。因此FIB-SEM的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用Inlens EsB探測器，探測深度小于3nm，可獲得表面敏感的、材料成分襯度圖像。
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