JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺(tái)
|產(chǎn)品概要
JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺(tái)是我司自主研發(fā)的一款在極端環(huán)境下給樣品加載電學(xué)信號(hào)的設(shè)備。可以實(shí)現(xiàn) 器件及材料表征的IV/CV特性測(cè)試，射頻測(cè)試，光電測(cè)試等。通過(guò)液氮或者壓縮機(jī)制冷，可以在防輻射屏內(nèi)營(yíng)造一個(gè)穩(wěn)定的測(cè)試環(huán)境。在特殊材料，半導(dǎo)體器件等研究方向具有廣泛運(yùn)用。
極低溫測(cè)試:因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程 泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測(cè)試:當(dāng)晶圓加熱至300°C,400°C,500°C甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來(lái)越明顯，并且溫度越 高氧化越嚴(yán)重。過(guò)度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
|技術(shù)特點(diǎn)
-防輻射屏和熱沉設(shè)計(jì)；
?降溫速度快，常溫降至77k<25mins,大大提高測(cè)試效率；
?液氮自動(dòng)控制系統(tǒng)，液氮流量模塊和溫度控制模塊一起聯(lián)動(dòng)共同控制溫度。
詳細(xì)參數(shù)
產(chǎn)品類型 | 低溫開循環(huán) | 低溫閉循環(huán) | |
主體材料 | 航空鋁 | 航空鋁 | |
型號(hào) | JKZC-JKZC-DCHH-196k | JKZC-JKZC-DCHH4k | |
外形 | 850*850*600mm | 900*850*600mm | |
重? | 約100kg | 約150kg | |
電力需求 | AC220V,50?60HZ | AC380V,50~60HZ | |
腔體 | 腔體尺寸 | 8英寸，帶4英寸高紅外透射率觀察窗 | |
樣品臺(tái)尺寸 | 2英寸/4英寸（鍍金） | 2英寸（鍍金） | |
樣品固定方式 | 真空導(dǎo)熱硅脂/彈簧壓片 | ||
真空度 | 10A-5pa真空 | ||
接口形式 | 電信接口，真空接口，光纖接口，冷源接口等 | ||
其它 | 帶防輻射屏和熱沉設(shè)計(jì) | ||
溫控系統(tǒng) | 制冷方式 | 液氮 | 壓縮機(jī) |
溫控范圍 | 77K-473K （973k可選） | 4.2K~450K | |
溫控精度和穩(wěn)定性 | 土 0丄度/±0丄度 | ||
降溫速度 | 常溫降到77k優(yōu)于25mins | 常溫降到：10k優(yōu)于180mins | |
控制方式 | 液氮自動(dòng)流量控制 | 壓縮機(jī)控制 | |
光學(xué)系統(tǒng) | 顯微鏡類型 | 體式顯微鏡/視頻顯微鏡/金相顯微鏡+CCD成像系統(tǒng) | 體式/單筒顯微鏡+CCD成像系統(tǒng) |
倍率范圍 | 16X~200X/40X~280X/20X ?2000X | 16X-200X/40X-280X | |
移動(dòng)范圍 | 水平360度旋轉(zhuǎn)，Z軸50.8mm調(diào)焦，帶萬(wàn)向支架 | ||
真空腔觀察窗尺寸 | 4inch | 4inch | |
CCD像素 | 2k或者4K相機(jī)，幀率60fps,帶拍照/錄像/測(cè)量功能等功能 | ||
探針臂 | 探針臂數(shù)? | 最多6個(gè) | |
X￥Z行程 | 50mm-25mm-25mm | ||
點(diǎn)針精度 | 10微米/2微米 | ||
漏電精度 | 同軸夾具10pA/三軸夾具100 fA | ||
接口形式 | 三軸/SMA/K/光纖接口 | ||
頻率范圍 | JKZC-DCH-67G | ||
探針 | 探針直接 | lum~100um 可選 | |
材質(zhì) | 磚鋼，披銅 | ||
真空系統(tǒng) | 機(jī)械泵/分子泵組/離子泵 | ||
可選附件 | 防震桌，鍍金卡盤，氣敏測(cè)試組件等 | ||
應(yīng)用方向 | 高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等 |
