詢(xún)價(jià)
- 直流U1mA參考電壓：≥4.0 kV
- 系統(tǒng)額定電壓：10KV
- 2ms方波通流容量：400A
- 工頻耐壓\/時(shí)間：3.6/4 KV/S
- 0.75U1mA下的泄露電流：≤ 50 μ A
- 10KA雷電沖擊電流下殘壓：≤8.7 KVP
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、采用大容量低殘的Zn0芯片，具有通流容量大，保護(hù)比高的特點(diǎn);
2、大地限制、減少電纜線路金屬護(hù)層中的工頻感應(yīng)過(guò)電壓和沖擊過(guò)電壓;
3、硅像膠外套整體模壓，密封性好，防污能力強(qiáng)，重量輕、體積小、防碰撞、耐熱、耐寒、耐老化、免維護(hù);
4、如配置放電計(jì)數(shù)器或監(jiān)測(cè)器能自動(dòng)準(zhǔn)記錄保護(hù)器在各種過(guò)電壓下的動(dòng)作次數(shù)及運(yùn)行質(zhì)量。
產(chǎn)品參數(shù)
系統(tǒng)額定電壓：10KV
工頻耐壓/時(shí)間：3.6/4 KV/S
10KA雷電沖擊電流下殘壓：≤8.7 KVP
直流U1mA參考電壓：≥4.0 kV
2ms方波通流容量：400A
0.75U1mA下的泄露電流：≤ 50 μ A
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、采用大容量低殘的Zn0芯片，具有通流容量大，保護(hù)比高的特點(diǎn);
2、大地限制、減少電纜線路金屬護(hù)層中的工頻感應(yīng)過(guò)電壓和沖擊過(guò)電壓;
3、硅像膠外套整體模壓，密封性好，防污能力強(qiáng)，重量輕、體積小、防碰撞、耐熱、耐寒、耐老化、免維護(hù);
4、如配置放電計(jì)數(shù)器或監(jiān)測(cè)器能自動(dòng)準(zhǔn)記錄保護(hù)器在各種過(guò)電壓下的動(dòng)作次數(shù)及運(yùn)行質(zhì)量。
產(chǎn)品參數(shù)
系統(tǒng)額定電壓：10KV
工頻耐壓/時(shí)間：3.6/4 KV/S
10KA雷電沖擊電流下殘壓：≤8.7 KVP
直流U1mA參考電壓：≥4.0 kV
2ms方波通流容量：400A
0.75U1mA下的泄露電流：≤ 50 μ A
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、采用大容量低殘的Zn0芯片，具有通流容量大，保護(hù)比高的特點(diǎn);
2、大地限制、減少電纜線路金屬護(hù)層中的工頻感應(yīng)過(guò)電壓和沖擊過(guò)電壓;
3、硅像膠外套整體模壓，密封性好，防污能力強(qiáng)，重量輕、體積小、防碰撞、耐熱、耐寒、耐老化、免維護(hù);
4、如配置放電計(jì)數(shù)器或監(jiān)測(cè)器能自動(dòng)準(zhǔn)記錄保護(hù)器在各種過(guò)電壓下的動(dòng)作次數(shù)及運(yùn)行質(zhì)量。
產(chǎn)品參數(shù)
系統(tǒng)額定電壓：10KV
工頻耐壓/時(shí)間：3.6/4 KV/S
10KA雷電沖擊電流下殘壓：≤8.7 KVP
直流U1mA參考電壓：≥4.0 kV
2ms方波通流容量：400A
0.75U1mA下的泄露電流：≤ 50 μ A
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、采用大容量低殘的Zn0芯片，具有通流容量大，保護(hù)比高的特點(diǎn);
2、大地限制、減少電纜線路金屬護(hù)層中的工頻感應(yīng)過(guò)電壓和沖擊過(guò)電壓;
3、硅像膠外套整體模壓，密封性好，防污能力強(qiáng)，重量輕、體積小、防碰撞、耐熱、耐寒、耐老化、免維護(hù);
4、如配置放電計(jì)數(shù)器或監(jiān)測(cè)器能自動(dòng)準(zhǔn)記錄保護(hù)器在各種過(guò)電壓下的動(dòng)作次數(shù)及運(yùn)行質(zhì)量。
產(chǎn)品參數(shù)
系統(tǒng)額定電壓：10KV
工頻耐壓/時(shí)間：3.6/4 KV/S
10KA雷電沖擊電流下殘壓：≤8.7 KVP
直流U1mA參考電壓：≥4.0 kV
2ms方波通流容量：400A
0.75U1mA下的泄露電流：≤ 50 μ A電纜護(hù)層保護(hù)器10KV 型號(hào)LHQ（BYL) M298665 電纜護(hù)層保護(hù)器10KV 型號(hào)LHQ（BYL) M298665 電纜護(hù)層保護(hù)器10KV 型號(hào)LHQ（BYL) M298665 電纜護(hù)層保護(hù)器10KV 型號(hào)LHQ（BYL) M298665
