- 價(jià)格:-
- 測(cè)量范圍:-
- 測(cè)量精度:-
- 響應(yīng)時(shí)間:-
- 輸入電壓:-
- 消耗電流:-
- 功耗:-
- 工作溫度:-
- 防護(hù)等級(jí):-
接近傳感器omron注意事項(xiàng)E2E-X4MD1 2M
對(duì)模擬數(shù)字混合IC“PROX2”執(zhí)行“出廠時(shí)寫入溫度補(bǔ)償值”,將溫度變化對(duì)檢測(cè)距離的影響控制在較小,這是以往的模擬IC 無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。
E2E NEXT的檢測(cè)距離約為以往產(chǎn)品的2倍。例如,M12的檢測(cè)距離為7mm,與以往的M18一樣。
與e-治具組合,可輕松地將現(xiàn)有設(shè)備升級(jí)為“傳感器更換時(shí)間10秒*1”的設(shè)備。
保護(hù)回路 脈沖吸收、負(fù)載短路保護(hù)(控制輸出、診斷輸出等包括在內(nèi))
環(huán)境溫度范圍 工作時(shí):-25~+70°C,保存時(shí):-40~+85°C (無(wú)結(jié)冰、結(jié)露)
環(huán)境濕度范圍 工作時(shí)、保存時(shí):各35~95%RH (無(wú)結(jié)露)
溫度的影響 -25~+70°C的溫度范圍內(nèi)
+23°C時(shí),檢測(cè)距離的±15%以內(nèi) -25~+70°C的溫度范圍內(nèi)
+23°C時(shí),檢測(cè)距離的±10%以內(nèi)
接近傳感器omron注意事項(xiàng)E2E-X4MD1 2M


接近傳感器omron注意事項(xiàng)E2E-X4MD1 2M
電壓的影響 在額定電源電壓的±15%范圍內(nèi),額定電源電壓時(shí),檢測(cè)距離的±1%以內(nèi)
絕緣電阻 50MΩ以上(DC500V兆歐表) 充電部整體與外殼間
耐電壓 AC1,000V 50/60Hz 1min 充電部整體與外殼間
振動(dòng)(耐久) 10~55Hz 上下振幅1.5mm X、Y、Z各方向 2h
沖擊(耐久) 500m/s2 X、Y、Z各方向 10次
診斷輸出延遲時(shí)間 0.3~1s
憑借飛濺物難以附著的氟樹脂涂層技術(shù),即使將產(chǎn)品安裝在飛濺物飛散的場(chǎng)所,維護(hù)頻率也可以保持在較低情況。
以轉(zhuǎn)速130rpm用不銹鋼刷進(jìn)行耐磨損性測(cè)試的結(jié)果,樹脂檢測(cè)頭在50分鐘時(shí)發(fā)生絕緣破壞,而金屬檢測(cè)頭即使400分鐘后也未發(fā)生絕緣破壞。
可實(shí)時(shí)了解接近傳感器檢測(cè)到多少檢測(cè)物體,從而掌握無(wú)法通過目視了解的設(shè)備日常的條件變化。
鐵和鋁共有有M12和M18尺寸、加上NO和NC各輸出類型的合計(jì)4個(gè)機(jī)型庫(kù)存的用戶,在使用E2EW時(shí)可將該4個(gè)機(jī)型合并為M12尺寸NO+NC 2輸出型的1個(gè)機(jī)型。
無(wú)需繁雜的庫(kù)存管理,還可大幅減少庫(kù)存貨架的空間。
E2E NEXT系列憑借長(zhǎng)距離穩(wěn)定檢測(cè)技術(shù)“熱敏遠(yuǎn)距離控制”和模擬數(shù)字混合IC,解決了增大接近傳感器檢測(cè)距離時(shí)的課題——溫度變化產(chǎn)生的影響以及傳感器的個(gè)體差異。
接近傳感器omron注意事項(xiàng)E2E-X4MD1 2M






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