DKDP電光Q開關(Q-switch, Pockels Cells)因其獨特的物理特性和優異的光學品質而廣泛應用于大口徑、高功率、窄脈寬(<10ns)激光系統。DKDP晶體是單軸晶體,具有優異的光學質量, 其消光比>1000:1(使用632nm He-Ne激光測量), 波前畸變98%。 DKDP電光Q開關電容小(約為3pF), 因而上升時間短(<0.5ns), 在調Q時可輸出窄脈寬的脈沖激光。與市場上使用較廣泛的電光晶體相比, DKDP晶體具有較高的損傷閾值; 在脈寬10ns、波長為1064nm、重復頻率 10 Hz 的光學條件下, 損傷閾值>1GW/cm2。 D-EO-Q系列DKDP電光Q開關設計制造完全基于工業化的實際應用。采用優良的耐環境溫度沖擊的材料和結構設計保證開關內環境的穩定以及優異的電光性能; 不使用任何具有揮發性質的封膠或粘合劑, 因而在其所應用的激光系統中, 不會出現對器件和整個激光器系統的污染性影響。產品特點 高消光比: &gt;1000:1 波前畸變: 低電容, 上升時間短: ～3pF 高透過率: &gt;98%高損傷閾值: &gt;1GW/cm2無靜態雙折射, 無光折變損傷 鍍增透膜的保護性石英窗口 耐環境溫度沖擊和優異的電光性能 無任何封膠或粘合劑 D-EO-Q-30-40-X-WB型開關參數外觀尺寸：Φ30x40mm 孔徑: Ф6~Ф12mm可選 電壓Vλ/4 : 3.4 KV @1064nm消光比: &gt;1000:1 插入損耗 (單程) : &lt;2% 波前畸變: &lt;λ/10 電容 (pF): ≈17pF 應用光譜范圍: 240-1400nm以上是電光Q開關的詳細信息，如果您對電光Q開關的價格、廠家、型號、圖片有什么疑問，請聯系我們獲取電光Q開關的新信息。