波長

300  - 900nm（其余可選）

Y、D

0.001°、0.01°  (90° 時50次測量標準差)

長期穩定性

TanY = ±0.001；CosD =  ±0.001(90°超過1小時的測量)

膜厚

±1 ? for 100 nm SiO2 on Si

折射率

± 5x10-4 for 100 nm SiO2 on Si

厚度范圍

0.1nm-200μm

燈源

日本濱松光子氙燈（含強度自動優化系統以自動選擇合適光強）

模型

Cauchy、EMA等

光學結構

PSCA

高穩定度補償器C；CosD=1 附近有較高

起偏器P、補償器C、檢偏器A的位置自動跟蹤、以及自校準功能

光斑

<<1 mm；≈60 μm

分析

含退偏糾正

光譜儀

背照式CCD、-15℃真空制冷

入射角

10° - 90°連續可變追蹤布魯斯特角；0.0002°

自檢

90°自動校準；包括原始測試波形的自檢

維護

自動的內部維護程序，檢查部件是否在正常工作

數據庫

各種電介質、薄膜、晶體及非晶半導體、金屬等的NK文件（數萬種）