- 產(chǎn)品品牌：
- MMR
- 產(chǎn)品型號(hào)：
- 70~730K
| 1. | 設(shè)備名稱： | 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 |
| 2. | 功能描述： | 測(cè)量半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù) |
| 3. | 設(shè)備明細(xì)： | |
| 3-1 | 測(cè)試范圍： | Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù) |
| 3-2 | 磁場(chǎng)： | |
| 3-2-1 | 磁場(chǎng)強(qiáng)度： | 0.35T 電磁體 / 0.5T 永磁體 / 1.4T 電磁體 三種磁場(chǎng)可選 |
| 3-2-2 | 磁場(chǎng)類型： | 永磁體、電磁體可選。 |
| 3-2-3 | 磁場(chǎng)均勻性： | 磁場(chǎng)不均勻性＜±1 % 10年內(nèi)磁場(chǎng)變化＜±0.2% |
| 3-3 | 測(cè)試樣品： | |
| 3-3-1 | 樣品測(cè)試倉： | 全封閉、帶玻璃窗口 |
| 3-3-2 | 測(cè)試時(shí)間： | 80～580K、20分鐘； 90～500K、15分鐘內(nèi)。 |
| 3-4 | 溫 度： | |
| 3-4-1 | 溫度區(qū)域： | 77 K~300K、77 K~580K、77 K~730K、80 K~580K等溫區(qū)可以選擇 |
| 3-4-2 | 溫控： | 0.1K |
| 3-4-3 | 溫控穩(wěn)定性： | ±0.1 K |
| 3-5 | 電阻率范圍： | 10-6~1013 Ohm*cm |
| 3-6 | 電阻范圍： | 10 M Ohms~ 10G Ohms |
| 3-7 | 載流子濃度： | 102~1022cm-3 |
| 3-8 | 遷移率： | 10-2~109 cm2/volt*sec |
| 3-9 | 輸入電流： | |
| 3-9-1 | 電流范圍： | 0.1 pA~10mA |
| 3-9-2 | 電流： | 2% |
| 3-10 | 輸入電壓： | |
| 3-10-1 | 電壓范圍： | ±2.5V,小可測(cè)到6×10-6V |
| 3-10-2 | 電壓分辨率： | 3×10-7V |
| 3-10-3 | 電壓： | 2% |
| 4. | 儀器優(yōu)點(diǎn)： | |
| 4-1 | 采用van der Pauw法測(cè)試。 | |
| 4-2 | 可測(cè)1cmX1cm樣品，提供兩種樣品裝載方式：彈簧探針、引線治具，以及兩個(gè)杜瓦瓶：全封閉、帶玻璃窗口。 | |
| 4-3 | 配備電腦和相應(yīng)的控制軟件，測(cè)試過程以及設(shè)備內(nèi)各個(gè)單元均由軟件控制,永磁體需要手動(dòng)翻轉(zhuǎn)樣品，電磁場(chǎng)測(cè)試過程全自動(dòng)。測(cè)試數(shù)據(jù)能夠方便的儲(chǔ)存和導(dǎo)出。 | |
| 4-4 | 模塊化設(shè)計(jì)，可升級(jí)到溫度范圍更廣、磁場(chǎng)更大的系統(tǒng)，也可升級(jí)成塞貝克測(cè)量系統(tǒng)。 | |
| 4-5 | 測(cè)試過程中，由于致冷或加熱所引起的樣品振動(dòng)幅度在um量級(jí)或更優(yōu)。 | |
| 4-6 | 在同一個(gè)樣品室下進(jìn)行變溫霍爾效應(yīng)的測(cè)試，變溫范圍80K~730K。避免更換樣品室給測(cè)試帶來的不方便性和不連貫性，其他品牌低溫和高溫需要在高溫和低溫兩個(gè)樣品室下測(cè)試。 | |
