| 陶瓷電容基本參數 4.1.一類瓷：也叫做溫度補償型（Temperature Compensating Te），是專門設計并用在低損耗、電容量穩定性高或要求溫度系數有明確規定的諧振電路中的一種電容器，例如，在電路中作溫度補償之用。該類陶瓷介質是由標稱溫度系數（α）來確定。其溫度系數有：NP0、N150、N220、N470、N750、SL等。4.2.二類瓷：也叫做高介電常數型（High Dielectric Constant Te），是適用于作旁路、耦合或用在對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中的具有高介電常數的一種電容器。該類陶瓷介質是以在類別溫度范圍內電容量非線性變化來表征。其溫度特性有：Y5P、X7R、Z5U、Y5V等。4.3.三類瓷：也叫做半導體型（Semiconductor Te），是一種具有半導體特征的陶瓷電容器。該類電容器適用于作旁路和耦合之用。該類陶瓷介質是以在類別溫度范圍內電容量非線性變化來表征。其溫度特性有：Y5P、Y5R、Y5U、Y5V等。4.4.電容量（minal Capacitance，簡寫為Cap.或C或CR）：是指電容器設計所確定的和通常在電容器上所標出的電容量值；其單位為法拉(Farad，簡寫F)，由于F太大，故常用微法(UF)、微微法拉(PF)，其等式為： 1UF=103NF=106PF=10-6F 4.5.容量誤差（Tolerance，簡寫成Tol.）：是指在設計與制造過程時，允許電容器的容量在標稱容量的某一些范圍內。在國際上，圓板陶瓷電容器常用的幾種誤差值如下： CR＜10pF：&plun;0.25PF；&plun;0.5PF。 CR≥10pF：&plun;5%；&plun;10%；&plun;20%與+80/-20%。 4.6.額定電壓（Rated Voltage，簡寫成R.V.或UR）：也稱之為工作電壓(Working Voltage)，是指在下限類別溫度和額定溫度之間的任一溫度下，可以連續施加在電容器上的直流電壓或交流電壓值或脈沖電壓的峰值。 本承認書所講述之電壓均為直流電壓，除非有注明。 貴公司若在使用或測試中有應用到交流電壓時，請事先通知我公司業務部或品管部。 4.7.耐電壓：也叫試驗電壓（Tt Voltage，簡寫成T.V.），它是以額定電壓的幾倍，加壓多少時間來表示供試驗電容的耐電壓的高低。4.8.損耗角正切：也叫做散逸因素（Dissipation Factor，簡寫成D.F.或tanδ，簡稱損耗）；是指在規定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無功功率。損耗的倒數稱之為品質因素，即Q值(英文名為Q Value，簡寫為Q)4.9.溫度特性（Temperature Characteristic，簡寫成T.C.）：是指在規定溫度范圍內，所出現的電容量可逆變化，一般此變化表示為相對25℃時電容量的百分比。 電容量的溫度系數英文為Temperature Coefficient of Capacitance；是指在規定的溫度范圍內測量的電容量隨溫度的變化率，通常用10-6/℃或ppm/℃來表示。 電容量溫度循環漂移英文為Temperature Cyclic Drift of Capacitance；是指在規定的溫度循環次數完成期間或結束之后，在室溫下所觀測到的電容量的不可逆變化，這種不可逆變化通常是用與基準溫度有關的電容量的百分比，基準溫度通常是25℃。 4.10.類別溫度范圍：是指電容器在設計時所確定的能連續工作的環境溫度范圍，這里規定上限類別溫度和下限類別溫度，如下表： 類別 | 一類瓷 | 二、三類瓷 | 下限類別溫度 | -25℃ | X：-55℃；Y：-25℃；Z：+10℃ （X、Y及Z均為各溫度特性前碼） | 上限類別溫度 | +85℃ | 5：+85℃；7：+125℃ （5和7為各溫度特性前第二碼） |
2. 試驗和測量環境要求5.1.試驗狀態 5.1.1.試驗狀態定義： a> 標準狀態：是指溫度15～35℃、相對溫度45～85%、氣壓860～1060mbar。 b> 判定狀態：是指溫度25&plun;2℃，相對濕度60～70%，氣壓860～1060mbar。 c> 基準狀態：是指溫度25℃，相對濕度65%，氣壓1013mbar。 5.1.2.試驗及測定環境要求： 無規定時，在標準狀態或判定狀態下進行試驗及測定。但如對標準狀態或判定狀態之測定值，一旦判定有疑問或在被要求之情形下，則須在基準狀態下進行。 在基準狀態測定或試驗有困難時，或在不產生判定疑問之前提下，在基準狀態以外的狀態下做試驗與測定亦可。 5.1.3.注意事項： a> 在試驗及測定時，可以在以上三種狀態規定的任一種溫度下測量，相對濕度與氣壓均可為常濕(45～85%)與常壓(860～1060mbar)；但若對試驗與測定值有要求時則須在基測狀態指定的溫度下進行。 b> 在整個試驗過程的前后，對于供試驗電容器的測定有影響之日光或其它熱源幅射等因素，均要避免之。 c> 在整個試驗及測定過程中，為使試驗結果不致發生疑問，有須時，應對供試驗電容器置于測量溫度內30分鐘以上，并使之充分放電。 瓷片電容 一、特點
●尺寸小、耐壓可高可低。
●環氧樹脂包封或灌封，良好的潮性、阻燃性。
●介質損耗低、頻率特性優良。 二、用途
●主要用于高壓直流電源電路，如激光機、X光機、加速器、空氣清新機等。
●彩電、彩顯的聚焦輸出電路，使圖像全屏幕聚焦優良。
●用于電焊機及靜電噴涂設備。
三、技術指標(SPECIFICATIONS) 電容量(capacitance) | 18pF～33000pF | 電容量允許偏差(capacitance tolerance) | K(&plun;10%),M(&plun;20%),Z(+80%-20%) | 使用溫度(operating temperature) |
-25℃～85℃
| 溫度特性(temperature characteristic) | Y5P,Y5U,Y5V,SL,BN,Y5R | 額定電壓(rated voltage) | 16V,25V,50V,100V,1KVDC,2KVDC,3KVDC | 損耗角正切值(dissipation factor)(tgδ) | Y5P、Y5U、Y5V: tgδ≤2.0%
BN: tgδ≤0.5%
Y5R: tgδ≤0.2%
SL:Cr<30pF,Q≥400+20Cr;Cr≥30pF,Q≥1000
Ⅰ類:1MHz,1&plun;0.2Vrms,25℃
Ⅱ類:1KHz,1&plun;0.2Vrms,25℃ | 緣電阻(insulation ristance)(IR) | IR≥10000MΩ @ 25℃,500VDC | 耐電壓(voltage proof) | 1.5Ur+500 | 測試電壓(tting voltage) | 2 tim the rated voltage or 1.5 tim
the rated voltage +500V（whichever is aller）
1分鐘無擊穿，無飛弧 | 封裝(encapsulation) | 1KV:酚醛樹脂
≥2KV:環氧樹脂 |
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