1、              設(shè)備名稱與型號：自動溫控加熱板NHP-320

2、              設(shè)備外觀圖：（見圖）

3、              設(shè)備概要：本設(shè)備可以同時加熱30片2″wafer，片子通過PIN升降達(dá)到所有wafer加熱時間相同，克服因人工夾放wafer造成的工藝不穩(wěn)定問題。

4、              設(shè)備規(guī)格：

1)         基板尺寸：2″wafer；

2)         Through Put：30片/run；

3)         溫度范圍：20~150℃(Plate表面)；

4)         HP材質(zhì)：AL+SALW（陽極處理）+Silastic Heater；

5)         加熱面尺寸：(W×D×H) 510×430×12(mm)；

6)         溫度分布：90℃ ±1℃；120℃±1℃；

7)         溫度Sensor：PT100型熱電偶；

8)         溫度表示：溫度調(diào)整器Digital表示；

9)         控制方式：Digital溫度調(diào)整器+SSR（PID）；

10)    設(shè)備外面尺寸：(W×D×H) 566×486×170(mm)；

11)    設(shè)備凈重：30Kg；

5、             設(shè)備運(yùn)作流程：

（1）.查看設(shè)備外觀無運(yùn)輸破損后，將電源線插入~220V接線板插坐;插上供氣管

（2）.打開電源開關(guān)，設(shè)備自檢初始化，頂針(PIN)頂起

（3）.設(shè)置加熱溫度；設(shè)置工作時間

（4）.放上待加熱晶片

（5）.按開始鍵，頂針下落，晶片落下，貼緊加熱板，開始加熱，時間繼電器開始計時

（6）.時間到，頂針（PIN）同時頂起晶片，所有晶片同時離開熱板不再加熱，蜂鳴器響起提醒工作人員取下加熱均勻的晶片。

（7）.工作過程中，遇突發(fā)事件，可按停止按健，頂針立即頂起晶片，停止加熱，時間繼電器復(fù)位，方便隨時進(jìn)行人工干預(yù)。

6、              廠務(wù)要求：

7、              產(chǎn)品優(yōu)勢：

a)       30片/run，產(chǎn)能優(yōu)勢；

b)    Silastic Heater溫度均勻性更高。