原子層沉積（Atomic Layer Deposition System，ALD)
◆ 的粉末樣品表面原子層級包覆功能。
◆ 前驅體是飽和化學吸附，生成大面積均勻性的薄膜；
◆ 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物；
◆ 可承受腐蝕性前驅氣體。
◆ 預留等離子體Plaa-ALD接入口，可根據客戶需要進行靈活升級。
◆ 樣品固定臺設計，操作便捷，。
◆ 將晶片和粉末樣品的兩個處理倉進行高度整合，合二為一;
◆ 大大設備利用率，降低使用成本。
◆ 同時，該系列可以十分方便升級到等離子體ALD系統。
| 原子層沉積ALD的應用包括： |
| High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, |
| Ta2O5, La2O3)； |
| 導電門電 (Ir, Pt, Ru, TiN)； |
| 金屬互聯結構 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)； |
| 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)； |
| 納米結構 (All ALD Material)； |
| 生物涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)； |
| ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)； |
| 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)； |
| 透明電學導體 (ZnO:Al, ITO)； |
| 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2)； |
| OLED鈍化層 (Al2O3)； |
| 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5)； |
| 反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)； |
| 電致發光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce)； |
| 工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2)； |
| 光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO)； |
| 傳感器 (SnO2, Ta2O5)； |
| 磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)； |
| 目前可以沉積的材料包括： |
| 氧化物： Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,... |
| 氮化物： AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... |
| 復合結構材料： AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... |
| 金 屬： Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... |
| 碳化物： TiC, NbC, TaC, ... |
| 氟化物： CaF2, SrF2, ZnF2, ... |
| 硫化物： ZnS, SrS, CaS, PbS, ... |
