KJ009可控硅移相觸發(fā)器
　　KJ009可控硅移相觸發(fā)器的基本性能與KJ004相同，可以與KJ004互換使用。由于器件內(nèi)部采用了反向阻斷四硅晶閘管作脈沖記憶，了干擾能力和觸發(fā)脈沖的前沿陡度，脈沖的寬度有較大的調(diào)節(jié)范圍。KJ009可控硅移相觸發(fā)器適用于單相、三相全控橋式供電裝置中作可控硅的雙路脈沖移相觸發(fā)。兩路相位差180度的移相脈沖可以方便地構(gòu)成全控橋式觸發(fā)線路。具有輸出負(fù)載能力強(qiáng)、鋸齒波線性好、正負(fù)半周脈沖相位均衡度好、移相范圍寬、對同步電壓要求低，有脈沖列調(diào)制輸入等功能與特點(diǎn)。
　　
　　KJ009電路工作原理：
　　KJ009可控硅移相觸發(fā)器由同步檢測電路、鋸齒波形成電路、偏移電壓、移相電壓及鋸齒波電壓綜合比較放大電路、脈沖記憶路及功率放大電路等部分組成。由V，—V，對同步電壓進(jìn)行檢測。在同步電壓過點(diǎn)時(shí)，V，～V，均截止，從而使V，＋、V，，導(dǎo)通，V，，使積分電容Cl放電。過結(jié)束后，Vln，Vi6恢復(fù)截止，C，接在V：。的基集電，組成密勒積分器，形成線性的鋸齒波。鋸齒波的斜率決定于R6、IIW，流出的充電電流和積分電容C1的數(shù)值。V24是比較放大管，鋸齒波電壓和移相控制電壓VY以及偏移電壓V，分別通過串聯(lián)電阻加到V24的基作電流比較。TH是反射阻斷四硅晶閘管。
　　
　　當(dāng)V24截止，HT也截止，由于11端外接電容C：上儲存有電荷，V29集電為高電位。鋸齒波電壓上升高到某一瞬時(shí)，v：，基流大于，使V24導(dǎo)通。由于V24導(dǎo)通，使反向阻斷四硅晶閘管導(dǎo)通，TH一旦被觸發(fā)導(dǎo)通，就能保持通導(dǎo)狀態(tài)，V24失去控制作用。TH的通導(dǎo)使V29導(dǎo)通，C2通過V29放電，由于C2的微分作用在V24導(dǎo)通的前沿形成寬度的輸出脈沖。在同步電壓過時(shí)，由于V24的導(dǎo)通使V19、V20、V21在導(dǎo)通一下。V21導(dǎo)通給TH陽控制加上高電位，使四硅晶閘管截止，從而V29也截止，同時(shí)也由于V20導(dǎo)通對C2充電，使11端建立高電位準(zhǔn)備下半周輸出脈沖。V44—49是功放級，分別對正負(fù)半周的脈沖進(jìn)行功率放大，使兩個(gè)輸出端都有100mA的輸出能力。13、14端提供脈沖列調(diào)制和脈沖封鎖的控制。KJ009可控硅移相觸發(fā)器電路的同步電壓為任意值，同步串聯(lián)電阻R4選擇按下式計(jì)算：R4＝同步電壓／2～3×103（Ω）
　　
　　KJ009封裝形式：
　　KJ009可控硅移相觸發(fā)器電路采用雙列直插C—16線白瓷和黑瓷兩種外殼封裝，外形尺寸按電子工業(yè)部部頒標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路外形尺寸》SJ1100—76
　　
　　KJ009典型接線圖及各點(diǎn)波形：
　　對不同的移相控制電壓VY，只要改變權(quán)電阻R1、R2的比例，調(diào)節(jié)相應(yīng)電壓VP同時(shí)調(diào)整鋸齒波斜率電位器RW1，可以使不同的移相控制電壓獲得整個(gè)移相范圍。觸發(fā)性為正性型，即移相電壓增加，號通角。
　　
　　KJ009電參數(shù)：
　　1、電源電壓：直流＋15V、-15V，允許波動±5％（土10％時(shí)功能正常）。　
　　2、電源電流：正電流≤15mA，負(fù)電流≤10mA。　
　　3、同步電壓：任意值。　
　　4、同步輸入端允許同步電流：6mA（值）　
　　5、移相范圍：≥170’（同步電壓30V，同步輸人電阻15KΩ）。　
　　6、鋸齒波幅度：≥10V（幅度以鋸齒波平頂為準(zhǔn)）。　
　　7、輸出脈沖：
　　（1）寬度：400μS～2mS（改變阻容元件）。
　　（2）幅度：≥13V。　
　　8、輸出管反壓：BVceo≥18V（測試條件Ie＝100μA）。　
　　9、正負(fù)半周脈沖相位不均衡度：≤土30。