特點：
? 635/650/660nm量子阱LD
? 內置背光PD
? 同軸插拔或尾纖式封裝
? 輸出功率大
? 閾值電流小
? 性能穩定
應用：
? 光儀器儀表
? 工業控制
? 光纖傳輸
技術指標（TA=25℃）：
參數 號 測試條件 典型值 單位
波長 λ CW 635/650/660 nm
出纖功率 Pout CW.SM 1～20 mW
閾值電流 Ith CW 5～55 mA
工作電流 Iop CW 20～85 mA
工作電壓 Vop CW 2.5～3 V
上升/下降時間 Tr/TF CW ≤0.5 ns
PD電流 Im CW 0.1～0.2 mA
額定限值：
參數 值 單位
LD反向電壓 2 V
PD反向電壓 25 V
工作溫度 -40~+85 ℃
存儲溫度 -50~+100 ℃
焊接條件 240/10 ℃/S
管腳定義圖：
尾纖式封裝：插拔式封裝。
額定限值:
? 635/650/660nm量子阱LD
? 內置背光PD
? 同軸插拔或尾纖式封裝
? 輸出功率大
? 閾值電流小
? 性能穩定
應用：
? 光儀器儀表
? 工業控制
? 光纖傳輸
技術指標（TA=25℃）：
參數 號 測試條件 典型值 單位
波長 λ CW 635/650/660 nm
出纖功率 Pout CW.SM 1～20 mW
閾值電流 Ith CW 5～55 mA
工作電流 Iop CW 20～85 mA
工作電壓 Vop CW 2.5～3 V
上升/下降時間 Tr/TF CW ≤0.5 ns
PD電流 Im CW 0.1～0.2 mA
額定限值：
參數 值 單位
LD反向電壓 2 V
PD反向電壓 25 V
工作溫度 -40~+85 ℃
存儲溫度 -50~+100 ℃
焊接條件 240/10 ℃/S
管腳定義圖：
尾纖式封裝：插拔式封裝。
其他說明
| 參數 | 號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
| 波長 | λ | CW | 635/650/660 | nm |
| 出纖功率 | Pout | CW. SM | 1~20 | mW |
| 閾值電流 | Ith | CW | 5~55 | mA |
| 工作電流 | Iop | CW | 20~85 | mA |
| 工作電壓 | Vop | CW | 2.5~3 | V |
| 上升/下降時間 | Tr/Tf | CW | ≤ 0.5 | ns |
| PD電流 | Im | CW | 0.1~0.2 | mA |
額定限值:
| 參數 | 值 | 單位 |
| LD反向電壓 | 2 | V |
| PD反向電壓 | 25 | V |
| 工作溫度 | -40~+85 | ℃ |
| 存儲溫度 | -50~+100 | ℃ |
| 焊接條件 | 240/10 | ℃/S |
