瓷介電容:瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率,在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(型)。
I型(CC型)特點(diǎn)是體積小,損耗低,電容對頻率,溫度穩(wěn)定性都較高,常用于高頻電路。
II型(型)特點(diǎn)是體積小,損耗大,電容對溫度頻率,穩(wěn)定性都較差,常用于低頻電路。
1.高頻圓片瓷介電容(CC):電容量:1--6800p;額定電壓:63--500V;主要特點(diǎn):高頻損耗小,穩(wěn)定性好.應(yīng)用:高頻電路。低頻瓷介電容()。電容量:10p—4.7u。額定電壓:50V--100V。主要特點(diǎn):體積小,價(jià)廉,損耗大,穩(wěn)定性差。應(yīng)用:要求不高的低頻電路。
CC1型1類瓷介電容器。用途:CCI型1類瓷介電容器Q值高,容量穩(wěn)定。用于諧振回路和需要補(bǔ)償溫度效應(yīng)的電路中。63-500V。
CS1型3類瓷介電容器。用途:作頻、寬頻帶旁路電容器及耦合電容器或使用于對損耗角正切、緣電阻要求不高的電路中。25V-50V。
71型2類交流瓷介電容器。用途:各類電子、電器設(shè)備,用于天線耦合,開關(guān)電路及跨接電源線等。250Vac。
81型2類高壓瓷介電容器。用途:適用于1~3kV直流高壓旁路和耦合電路。開關(guān)電源的緩沖電路。



