產品說明:
半導體三管又稱“晶體三管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區（或P區）叫基區，兩邊的區域叫發射區和集電區，這三部分各有一條電引線，分別叫基B、發射E和集電C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。
三管的基本結構是兩個反向連結的PN接面，如圖1所示，可有pnp和npn兩種組合。三個接出來的端點依序稱為發射（emitter,E）、基（base,B）和集電（collector,C），名稱來源和它們在三管操作時的功能有關。圖中也顯示出npn與pnp三管的電路號，發射被標出，箭號所指的為n型半導體，和二體的號一致。在沒接外加偏壓時，兩個pn接面都會形成耗盡區，將中性的p型區和n型區隔開。
三管的電特性和兩個pn接面的偏壓有關，工作區間也依偏壓方式來分類，這里我們先討論常用的所謂”正向區”（forward active），在此區EB間的pn接面維持在正向偏壓，而BC間的pn接面則在反向偏壓，通常用作放大器的三管都以此方式偏壓。圖2(a）為一pnp三管在此偏壓區的示意圖。EB接面的空乏區由于在正向偏壓會變窄，載體看到的位障變小，射的空穴會注入到基，基的電子也會注入到射；而BC接面的耗盡區則會變寬，載體看到的位障變大，故本身是不導通的。圖2(b）畫的是沒外加偏壓，和偏壓在正向區兩種情形下，空穴和電子的電位能的分布圖。三管和兩個反向相接的pn二管有什么差別呢？其間的不同部分就在于三管的兩個接面相當接近。以上述之偏壓在正向區之pnp三管為例，射的空穴注入基的n型中性區，馬上載體電子包圍遮蔽，然后朝集電方向擴散，同時也被電子復合。當沒有被復合的空穴到達BC接面的耗盡區時，會被此區內的電場加速掃入集電，空穴在集電中為多數載體，很快藉由漂移電流到達連結外部的歐姆接點，形成集電電流IC。IC的大小和BC間反向偏壓的大小關系不大。基外部需提供與注入空穴復合部分的電子流IBrec，與由基注入射的電子流InBE（這部分是三管作用不需要的部分）。InB E在射與與電洞復合，即InB E=IErec。pnp三管在正向區時主要的電流種類可以清楚地在圖3(a）中看出。
3(a)
射注入基的空穴流大小是由EB接面間的正向偏壓大小來控制，和二體的情形類似，在啟動電壓附近，微小的偏壓變化，即可造成很大的注入電流變化。更的說，三管是利用VEB（或VBE）的變化來控制IC，而且提供之IB遠比IC小。npn三管的操作原理和pnp三管是一樣的，只是偏壓方向，電流方向均相反，電子和空穴的角色互易。pnp三管是利用VEB控制由射經基，入射到集電的空穴，而npn三管則是利用VBE控制由射經基、入射到集電的電子。三管在數字電路中的用途其實就是開關，利用電信號使三管在正向區（或飽和區）與截止區間切換，就開關而言，對應開與關的狀態，就數字電路而言則代表0與1（或1與0）兩個二進位數字。若三管一直維持偏壓在正向區，在射與基間微小的電信號（可以是電壓或電流）變化，會造成射與集電間電流相對上很大的變化，故可用作信號放大器。
三管工作原理
晶體三管（以下簡稱三管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三管，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源性不同外，其工作原理都是相同的，下面介紹NPN硅管的電流放大原理。 對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射e、基b和集電c
