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品牌：日本東芝
- MOS管主要參數： 1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源S和漏D之間開始形成導電溝道所需的柵電壓； ·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源之間加的電壓與柵電流之比 ·這一特性有時以流過柵的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地過1010Ω。 3. 漏源擊穿電壓BVDS ·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ·ID劇增的原因有下列兩個方面： （1）漏附近耗盡層的雪崩擊穿 （2）漏源間的穿通擊穿 ·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為，即產生漏源間的穿通，穿通后，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID 4. 柵源擊穿電壓BVGS ·在增加柵源電壓過程中，使柵電流IG由開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。 5. 低頻跨導gm ·在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導 ·gm反映了柵源電壓對漏電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個重要參數 ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內 6. 導通電阻RON ·導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏特性某一點切線的斜率的倒數 ·在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間 ·由于在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似 ·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內 7. 間電容 ·三個電之間都存在著間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS ·CGS和CGD約為1～3pF ·CDS約在0.1～1pF之間 8. 低頻噪聲系數NF ·噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的 ·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸 出端也出現不規則的電壓或電流變化 ·噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來表示，它的單位為分貝（dB） ·這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小 ·低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數 ·場效應管的噪聲系數約為幾個分貝，它比雙性三管的要小
