描述：
6A、600V N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管SVF6N60MJ/F/D采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。
封裝形式：
TO-251J-3L；TO-252-2L；TO-220F-3L
特點：
∗ 6A，600V，RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V
∗ 低柵電荷量
∗ 低反向傳輸電容
∗ 開關速度快
∗ 了dv/dt 能力
主要限參數(除非說明，TC=25°C)：
漏源電壓VDS：600V
柵源電壓VGS：&plun;30V
漏電流ID(TC=25°C/100°C)：6.0A/3.8A
漏脈沖電流IDM：24A
詳細參數資料請致電我司索取！
