薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)
不直接測(cè)量溫度變化，而是通過測(cè)量材料在導(dǎo)熱過程中溫度的變化轉(zhuǎn)換為的電信號(hào)的變化來實(shí)現(xiàn)微/納米薄膜材料的熱導(dǎo)率，微伏級(jí)電壓值，測(cè)量結(jié)果的高精準(zhǔn)度。
采用交流電加熱方式，同時(shí)選擇并優(yōu)化設(shè)計(jì)加熱電的形狀與尺寸，可加熱均勻性及測(cè)試應(yīng)用的廣泛性、準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性。
待測(cè)薄膜樣品金屬尺寸小，能減小黑體輻射引起的測(cè)量誤差。
友好的軟件界面。
薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例
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| 不同溫度下，Si薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試結(jié)果 | 不同溫度下，SiO2薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試結(jié)果 |
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| 不同溫度下，GeTe/Bi2Te3晶格熱導(dǎo)率的變化 | 不同溫度下，GeTe/Bi2Te3晶格熱導(dǎo)率的變化 |
薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | T-HT |
溫度范圍 | RT-500K |
測(cè)試對(duì)象 | 半導(dǎo)體薄膜、導(dǎo)電薄膜、緣薄膜等 |
熱導(dǎo)率測(cè)量范圍 | 0.1-10W/(m·K)(可擴(kuò)展至2000W/(m·K)) |
測(cè)試 （熱導(dǎo)率） | ±5%(在Si上測(cè)量)，±10%（其他） |
適合氛圍 | 真空 |
樣品尺寸 | 長 x 寬：(5-10)x(5-10)，單位mm,薄膜厚度≥100nm |
其他注意事項(xiàng) | 測(cè)量導(dǎo)電薄膜時(shí)，需要沉積緣層（推薦：Sio2），薄膜表面要光滑，緣層不漏電；襯底熱導(dǎo)率要遠(yuǎn)大于薄膜熱導(dǎo)率，推薦使用Si、AIN等高熱導(dǎo)襯底。 |
主機(jī)尺寸 | 710 x 600 x 490，單位mm |
重量 | 80kg |
薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理
薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)原理示意圖
本產(chǎn)品技術(shù)方案為3ω測(cè)試法，其主要原理為在待測(cè)薄膜材料表面淀積一層金屬電阻條，往金屬條兩端施加頻率為ω的電流，那么在焦耳熱的作用下該金屬條將產(chǎn)生頻率為2ω的溫升，由于金屬條一般表現(xiàn)出正電阻溫度系數(shù)，這將導(dǎo)致其電阻值也產(chǎn)生頻率為2ω的波動(dòng)，這個(gè)頻率為2ω的電阻與頻率為ω的電流耦合將產(chǎn)生一個(gè)在頻率為3ω的小電壓信號(hào)V3ω。該小信號(hào)電壓的幅值與待測(cè)材料的熱導(dǎo)率有關(guān)，因而檢測(cè)該電壓信號(hào)后通過相關(guān)計(jì)算，就可求出待測(cè)材料的熱導(dǎo)率Ks。
