石墨烯復合漿料高剪切膠體磨,石墨烯研磨設備,石墨烯實驗室均質機,石墨烯高剪切剝離設備,石墨烯膠體磨
一、石墨烯概述
石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一個碳原子厚度的二維材料。石墨烯目前是世上薄卻也是堅硬的納米材料,幾乎透明,只吸收2.3%的光;導熱系數高達5300W/m,高于碳納米管和金剛石,常溫下其電子遷移率過15000cm2/Vs,又比納米碳管或硅晶體高,而電阻率只約10-8Ω/m,比銅或銀更低,為世上電阻率小的材料。
二、石墨烯剝離方法
1.機械剝離法
2.化學氣相沉積法(CVD)
3.氧化-還原法
氧化-還原法是指將天然石墨與強酸和強氧化性物質反應生成氧化石墨(GO),經過聲分散制備成氧化石墨烯,然后加入還原劑去除氧化石墨表面的含氧基團后得到石墨烯。氧化-還原法制備成本較低容易實現,成為生產石墨烯的主流方法。但是該方法所產生的廢液對環境污染比較嚴重,所制備的石墨烯一般都是多層石墨烯或者石墨微晶而非嚴格意義上的石墨烯,并且產品存在缺陷而導致石墨烯部分電學和力學性能損失。
4.溶劑剝離法
溶劑剝離法的原理是將少量的石墨分散于溶劑中形成低濃度的分散液,利用聲波的作用破壞石墨層間的范德華力,溶劑石墨層間,進行層層剝離而制備出石墨烯。此方法不會像氧化-還原法那樣破壞石墨烯的結構,可以制備高質量的石墨烯。缺點是成本較高并且產率很低,工業化生產比較困難。當然,石墨烯的制備方法還有溶劑熱法、高溫還原、光照還原、外延晶體生長法、微波法、電弧法、電化學法等,這些方法及上述四種方法普遍。不要混淆!!!還原氧化石墨烯,即RGO。一般來說,氧化石墨烯是由石墨經強酸氧化,然后再經過化學還原或者熱沖擊還原得到。目前市場上所謂的“石墨烯”大多數都是通過氧化-還原法生產的氧化石墨烯,石墨片層數目不等,表面存在大量的缺陷和官能團,無論是導電性、導熱性還是機械性都跟獲得諾貝爾獎的石墨烯是兩回事。嚴格意義上而言,它們并不能稱為“石墨烯”。制備石墨烯的方法有很多。但歸納起來兩大類,一類是從大往小做,也叫自上而下法。例如,以石墨為原料,通過膠帶粘貼、氧化還原、液相插層和機械剝離等手段破壞石墨晶體的長程有序堆疊,得到單層或少數幾層的石墨烯。另一類是從小往大長,也叫自下而上法。例如,以含碳小分子等為前驅體,采用化學氣相沉積、外延生長和合成等方法將碳素組裝成石墨烯。
三、石墨烯機械剝離法
石墨烯復合漿料高剪切膠體磨是利用旋轉產生的能量,使石墨材料受到強烈的機械及液力剪切、撞擊剝離、離心擠壓力、液層摩擦和氣蝕等綜合作用下,使石墨層與層之間產生晶面水平錯位和滑移運動,進而將石墨快速剝離,經過高頻的循環往復,終得到穩定的石墨烯。
四、石墨烯復合漿料高剪切膠體磨
膠體磨XM2000系列適合于膠體溶液,細懸浮液和乳液的生產。除了高轉速和靈活可調的定轉子間隙外,XM在摩擦狀態下工作,因此也被稱做濕磨。在錐形轉載和定子之間有一個寬的入口間隙和窄的出口問題,在工作中,分散頭偏心運轉使溶液出現渦流,因此可以更好的研磨分散效果。XM2000整機采用幾何機構的研磨定轉子,好的表面處理和優質材料,可以滿足不同行業的多種需求。
五、石墨烯復合漿料高剪切膠體磨型號表供參考:
型號 | 標準流量 L/H | 輸出轉速 rpm | 標準線速度 m/s | 馬達功率 KW | 尺寸 | 出口尺寸 |
XM2000/4 | 700 | 18000 | 44 | 2.2 | DN25 | DN15 |
XM2000/5 | 3000 | 10500 | 44 | 7.5 | DN40 | DN32 |
XM2000/10 | 8000 | 7200 | 44 | 15 | DN50 | DN50 |
XM2000/20 | 20000 | 4900 | 44 | 37 | DN80 | DN65 |
XM2000/30 | 40000 | 2850 | 44 | 55 | DN150 | DN125 |
XM2000/50 | 80000 | 1100 | 44 | 110 | DN150 | DN125 |
石墨烯復合漿料高剪切膠體磨












