| 拉單晶專用-鎵摻雜劑 |
| 半導體拉晶的重要摻雜元素 |
| 鎵摻雜劑的計算公式 | |
X:為摻入高純鎵的質量 M:鎵的原子量 NA:阿伏加德羅常數 W:投爐硅的質量 D:硅的密度 C:熔硅中的Ga濃度即CL0度 | |
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北京羲和陽光科技發展有限公司
免企業未認證證營業執照未上傳
經營模式:工廠
所在地:北京
主營產品:硅料檢測分選儀;硅片電阻率測試儀;薄膜方塊電阻率測試儀;硅芯/硅棒電阻率測試儀;少子壽命測試儀;
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| 半導體拉晶的重要摻雜元素 |
| 鎵摻雜劑的計算公式 | |
X:為摻入高純鎵的質量 M:鎵的原子量 NA:阿伏加德羅常數 W:投爐硅的質量 D:硅的密度 C:熔硅中的Ga濃度即CL0度 | |