硅棒\硅錠紅外探傷儀
型號(hào)：進(jìn)口。
實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)能硅塊快速、無(wú)接觸的缺陷檢測(cè)。檢測(cè)的缺陷類(lèi)型包括： 裂紋和空洞、SiC雜質(zhì)、 微晶聚集結(jié)構(gòu)、金屬沉淀。
產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、便捷；
■ 線(xiàn)掃描模式的高分辨率紅外CCD 探測(cè)器；
■ 硅塊掃描尺寸至400×210×210mm；
■ 適應(yīng)非拋光及拋光硅塊樣品；
■ 集成驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，自動(dòng)旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，實(shí)現(xiàn)硅錠4 側(cè)面的自動(dòng)測(cè)試；
■ 提供自動(dòng)、手動(dòng)兩種檢測(cè)模式，方便對(duì)缺陷區(qū)域進(jìn)行快速定位；
■ 特有校準(zhǔn)模板，可以消除系統(tǒng)光學(xué)像差，提高缺陷定位；
■ 系統(tǒng)軟件能夠自動(dòng)識(shí)別硅錠缺陷，幫助分析缺陷類(lèi)型；
■ 系統(tǒng)軟件能夠定位硅錠缺陷，并可將其轉(zhuǎn)換為三維（3D）模型圖像。
技術(shù)指標(biāo)
■ 測(cè)試缺陷：裂紋，雜質(zhì)，空洞，微晶區(qū)等；
■ 掃描模式：線(xiàn)掃描；
■ 測(cè)試速度：4面檢測(cè)<1分鐘；
■ 測(cè)試尺寸：400×210×210mm；
■ 光源<300W
■ 定位：＜100μm；
■ 定位重復(fù)性：30μm；
■ 分辨率：1000×2600px；
■ AC：110V/15A。
