硅棒\硅錠紅外探傷儀
型號(hào):進(jìn)口。
實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)能硅塊快速、無(wú)接觸的缺陷檢測(cè)。檢測(cè)的缺陷類(lèi)型包括: 裂紋和空洞、SiC雜質(zhì)、 微晶聚集結(jié)構(gòu)、金屬沉淀。
產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、便捷;
■ 線(xiàn)掃描模式的高分辨率紅外CCD 探測(cè)器;
■ 硅塊掃描尺寸至400×210×210mm;
■ 適應(yīng)非拋光及拋光硅塊樣品;
■ 集成驅(qū)動(dòng)馬達(dá),自動(dòng)旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái),實(shí)現(xiàn)硅錠4 側(cè)面的自動(dòng)測(cè)試;
■ 提供自動(dòng)、手動(dòng)兩種檢測(cè)模式,方便對(duì)缺陷區(qū)域進(jìn)行快速定位;
■ 特有校準(zhǔn)模板,可以消除系統(tǒng)光學(xué)像差,提高缺陷定位;
■ 系統(tǒng)軟件能夠自動(dòng)識(shí)別硅錠缺陷,幫助分析缺陷類(lèi)型;
■ 系統(tǒng)軟件能夠定位硅錠缺陷,并可將其轉(zhuǎn)換為三維(3D)模型圖像。
技術(shù)指標(biāo)
■ 測(cè)試缺陷:裂紋,雜質(zhì),空洞,微晶區(qū)等;
■ 掃描模式:線(xiàn)掃描;
■ 測(cè)試速度:4面檢測(cè)<1分鐘;
■ 測(cè)試尺寸:400×210×210mm;
■ 光源<300W
■ 定位:<100μm;
■ 定位重復(fù)性:30μm;
■ 分辨率:1000×2600px;
■ AC:110V/15A。







