半導(dǎo)體分析系統(tǒng)_其他電子測(cè)量?jī)x器

企業(yè)檔案

北京羲和陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司

免企業(yè)未認(rèn)證證營(yíng)業(yè)執(zhí)照未上傳

經(jīng)營(yíng)模式：工廠

所在地：北京

主營(yíng)產(chǎn)品：硅料檢測(cè)分選儀;硅片電阻率測(cè)試儀;薄膜方塊電阻率測(cè)試儀;硅芯/硅棒電阻率測(cè)試儀;少子壽命測(cè)試儀;

進(jìn)入商鋪

產(chǎn)品搜索

最新產(chǎn)品

: 藍(lán)寶石膜厚測(cè)試儀; 電議

: 藍(lán)寶石激光應(yīng)力測(cè)量?jī)x; 電議

: 半導(dǎo)體分析系統(tǒng); 電議

$硅棒\硅錠紅外探傷儀$: 硅棒\硅錠紅外探傷儀; 電議

: 碳氧含兩次測(cè)試儀(浙江); 電議

: 羲和便攜式太陽(yáng)能電池IV曲線測(cè)試儀; 電議

產(chǎn)品信息
聯(lián)系方式

手機(jī)訪問(wèn)

掃一掃
進(jìn)入手機(jī)店鋪

半導(dǎo)體器件性能表征系統(tǒng)
型號(hào)：進(jìn)口
該半導(dǎo)體器件性能表征系統(tǒng)是一個(gè)可以提供精密電流源、電壓源和測(cè)試功能的測(cè)試系統(tǒng)，為半導(dǎo)體器件和測(cè)試結(jié)構(gòu)的直流參數(shù)測(cè)試、實(shí)時(shí)繪圖與分析提供了一套完整的方案，具有高和亞fA 級(jí)的分辨率，可廣泛應(yīng)用于各類(lèi)新材料、薄膜材料、異質(zhì)結(jié)構(gòu)等光電子材料及器件的電學(xué)性質(zhì)和物理特性的研究。

特點(diǎn)

■直觀的、點(diǎn)擊式Windows 操作環(huán)境；
■獨(dú)特的遠(yuǎn)端前置放大器，將SMU的分辨率擴(kuò)展至0.1fA；
■內(nèi)置PC提供快速的測(cè)試設(shè)置、強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析、制圖與打印、以及測(cè)試結(jié)果的大容量存儲(chǔ)；
■獨(dú)特的瀏覽器風(fēng)格的軟件界面，根據(jù)器件的類(lèi)型來(lái)安排測(cè)試；
■支持多種外圍設(shè)備；
■用戶測(cè)試模塊功能，可用于外接儀表控制與測(cè)試平臺(tái)集成，是KITE功能的擴(kuò)充。

技術(shù)參數(shù)

■電壓測(cè)量范圍：1μV-200V，電壓測(cè)量小分辨率為1μV；
■電流測(cè)量范圍：100fA-100mA，電流測(cè)量小量程為100nA；
■在小量程上的電流測(cè)量小分辨率為100fA，30pA。

應(yīng)用

■ 片上參數(shù)測(cè)試；
■ 晶圓級(jí)可靠性；
■ 封裝器件的特性分析；
■ 使用Model4200-SCS控制外部LCR表進(jìn)行C-V、I-V特性分析；
■ 高K柵電荷俘獲；
■ 受自加熱效應(yīng)影響的器件和材料的等溫測(cè)試；
■ 電荷泵方法分析MOSFET器件的界面態(tài)密度；
■ 電阻式或電容式MEMS驅(qū)動(dòng)特性分析；
■ 半導(dǎo)體激光二極管DC/CW特性分析；
■ 收發(fā)模塊DC/CW特性分析；
■ PIN和APD特性分析。