◆ 產(chǎn)品介紹：
用途： 適用于電力半導體器件及 IGBT模塊等。 用作可控硅元件中單晶硅片的支撐基板。
特點：鉬圓片表面光亮，粗糙度可達Ra1.60，熱導電性能好，熱膨脹系數(shù)小，且。
規(guī)格：加工方片范圍為4-25毫米 2 ，厚度0.15-1.5毫米。亦可根據(jù)客戶要求，來樣來圖加工。
參數(shù)：比重：10.2g／cm 3 電阻率：不大于6。26×10 -6 Ω。cm
線膨脹系數(shù)：4.0×10 -6 μm／（m.k）-6.4×10 -6 μm／（m.k）（在373.15k-973.15k）
包裝：吸塑包裝于木箱內(nèi)，箱重不過20kg。
用途： 適用于電力半導體器件及 IGBT模塊等。 用作可控硅元件中單晶硅片的支撐基板。
特點：鉬圓片表面光亮，粗糙度可達Ra1.60，熱導電性能好，熱膨脹系數(shù)小，且。
規(guī)格：加工方片范圍為4-25毫米 2 ，厚度0.15-1.5毫米。亦可根據(jù)客戶要求，來樣來圖加工。
參數(shù)：比重：10.2g／cm 3 電阻率：不大于6。26×10 -6 Ω。cm
線膨脹系數(shù)：4.0×10 -6 μm／（m.k）-6.4×10 -6 μm／（m.k）（在373.15k-973.15k）
包裝：吸塑包裝于木箱內(nèi)，箱重不過20kg。
