- 品牌/商標:ELLITOP
- 企業類型:制造商
- 新舊程度:全新
- 原產地:北京
EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的厚度測量。
EMPro采用了量拓科技多項技術。
特點:
原子層量級的極高靈敏度
國際先進的采樣方法、高穩定的器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級的極薄納米薄膜,膜厚達到0.01nm,折射率達到0.0001。百毫秒量級的快速測量
國際水準的儀器設計,在保證極高和準確度的同時,可在幾百毫秒內快速完成測量,可滿足單原子膜層生長的實時測量。簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。
應用:
- EMPro適合于高要求的科研和工業產品環境中的新品研發或質量控制。
- EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
- EMPro可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。
技術指標:
項目 | 技術指標 |
儀器型號 | EMPro31 |
激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
膜厚測量重復性(1) | 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率測量重復性(1) | 1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時間 | 與測量設置相關,典型0.6s |
結構 | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) |
激光光束直徑 | 1mm |
入射角度 | 40°-90°可手動調節,步進5° |
樣品方位調整 | Z軸高度調節:±6.5mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準:光學自準直和顯微對準系統 |
樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
的膜層范圍 | 透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質相關 |
外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90o時) |
儀器重量(凈重) | 25Kg |
選配件 | 水平XY軸調節平移臺 真空吸附泵 |
軟件 | ETEM軟件: l 中英文界面可選; l 多個預設項目供快捷操作使用; l 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合; l 方便的數據顯示、編輯和輸出 l 豐富的模型和材料數據庫支持 |








