一、系統(tǒng)用途：
　　設(shè)備主要制備單層膜、多層膜和多組份的金屬膜、合金膜、氧化物薄膜等。
　　二、技術(shù)指標(biāo)：：
　　1.結(jié)構(gòu)：一個主濺射室，一個為進(jìn)樣室；
　　2.主濺射室：限真空度6.7×10-8Pa，工作真空度6.7×10-7Pa；烘烤12小時，停烘烤開離子泵12小時后；分子泵滿速2小時后真空度1.2×10-4Pa；3.0小時后真空度8×10-5Pa；8小時后真空度3×10-5Pa；當(dāng)真空度2×10-4Pa時；開離子泵（此時分子泵也在工作）4小時后 1×10-6Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-8PaL/S；
　　3.進(jìn)樣室：限真空度5.0×10-6Pa；經(jīng)10小時烘烤（烘烤方式：烘烤帶加熱）；分子泵滿速2小時后真空度1.2×10-4Pa；3小時后真空度8×10-5Pa；4小時后真空度6×10-5Pa；系統(tǒng)漏率1×10-7PaL/S；
　　4.濺射室烘烤：采用外加熱帶烘烤除氣方式，烘烤溫度：150℃；
　　5.蒸發(fā)鍍膜時樣品架實現(xiàn)自轉(zhuǎn)，自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為0～50轉(zhuǎn)/分；
　　6.鉬蒸發(fā)舟兩組四個（容積25ml），也可以采用鎢絞線纏繞鋁絲進(jìn)行蒸鍍的方式；加熱電源兩套，加熱功率：3Kw；
　　7.用磁控濺射鍍制樣品時公轉(zhuǎn)的速度：0.05～5轉(zhuǎn)/分，相對360度的控制要小于1%，角0.01度，在某一恒定速度時的速度均勻性2%。
　　三、系統(tǒng)組成：
　　該設(shè)備主要由真空抽氣、真空室、工件架、磁控靶及電源、充氣、控制等部分組成。