Karl SUSS MA56光罩對準曝光系統，利用紫外線通過模版對光刻膠進行曝光的設備，該設備為大規模集成電路、傳感器、表面波元件、微波、LED、CCD等器件生產的重要生產設備，適用于Si，SiGe，SOI，SOS，GaAs，InP，InSb，CZT，M，LiNbO3等各種基材。
主要工作原理：利用聚焦光束對聚合物（通常稱光刻膠）進行曝光，受電子束輻照后的光刻膠，其物理化學性質發生變化，在的溶劑中形成良溶或非良溶區域，從而在蝕劑上形成精細圖形。該系統可處理4"晶圓，工作模式有接近式、接觸式、真空接觸模式。顯微鏡具有雙重的定位目標和分現場觀看。基片臺依靠電動驅動，可在X和Y方向移動定位，以晶圓與光掩模板對準。
主要組成部分：光源，為30瓦的氘燈，波長為310 nm，一個350瓦汞弧燈，波長為365 nm.預對準板、晶片傳送系統，可支持2"，3"，4"的光刻卡盤系統。支持紫外近紫外波長的顯微鏡對準系統。其他器手、電源控制、操作面板等
主要工作原理：利用聚焦光束對聚合物（通常稱光刻膠）進行曝光，受電子束輻照后的光刻膠，其物理化學性質發生變化，在的溶劑中形成良溶或非良溶區域，從而在蝕劑上形成精細圖形。該系統可處理4"晶圓，工作模式有接近式、接觸式、真空接觸模式。顯微鏡具有雙重的定位目標和分現場觀看。基片臺依靠電動驅動，可在X和Y方向移動定位，以晶圓與光掩模板對準。
主要組成部分：光源，為30瓦的氘燈，波長為310 nm，一個350瓦汞弧燈，波長為365 nm.預對準板、晶片傳送系統，可支持2"，3"，4"的光刻卡盤系統。支持紫外近紫外波長的顯微鏡對準系統。其他器手、電源控制、操作面板等
